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IPD70R360P7SAUMA1规格书,中文资料

发布时间2024-3-20 9:43:00关键词:IPD70R360P7SAUMA1
摘要

IPD70R360P7SAUMA1

IPD70R360P7SAUMA1

制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
REACH - SVHC: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SM
封装 / 箱体: DPAK-3 (TO-252-3)
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 700 V
Id-连续漏极电流: 12.5 A
Rds On-漏源导通电阻: 300 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 16 V, + 16 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V
Qg-栅极电荷: 16.4 nC
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 59.5 W
通道模式: Enhancement
商标名:CoolMOS
系列: CoolMOS P7
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Infineon Technologies
配置:Single
下降时间 18 ns
高度: 2.3 m
长度: 6.5 mm
湿度敏感性: Yes
产品类型: MOSFET
上升时间: 8 ns
工厂包装数量:250
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 100 ns
典型接通延迟时间: 19 ns
宽度: 6.22 mm
零件号别名: IPD70R360P7S SP001491634
单位重量 330 mg

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