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IRF5210STRLPBF中文资料

发布时间2024-3-20 9:43:00关键词:IRF5210
摘要

IRF5210STRLPBF

IRF5210

制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
技术:Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: D2PAK-3 (TO-263-3)
晶体管极性: P-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 40 A
Rds On-漏源导通电阻:60 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Qg-栅极电荷:120 nC
最小工作温度: 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 3.8 W
通道模式: Enhancement
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Infineon Technologies
配置: Single
高度:2.3 mm
长度: 6.5 mm
产品类型 MOSFET
工厂包装数量:800
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 P-Channel
宽度: 6.22 mm
单位重量: 4 g

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